Infineon Technologies AG SIGC25T60N
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SIGC25T60N
1211-SIGC25T60N
晶体管 - IGBT - 单个
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3
1最小包装量--
SIGC25T60N详情
Infineon Technologies AG SIGC25T60N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
DIE-3
Part Package Code
DIE
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
UNCASED CHIP
Turn-off Time-Nom (toff)
87 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
36.5 ns
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
无铅
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-XUUC-N3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
40 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5 V
SIGC25T60N拓展信息
Infineon Technologies
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