SIGC39T65E
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Infineon Technologies AG SIGC39T65E

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型号

SIGC39T65E

utmel 编号

1211-SIGC39T65E

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor

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1最小包装量--

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SIGC39T65E
SIGC39T65E Infineon Technologies AG Insulated Gate Bipolar Transistor

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SIGC39T65E详情

Infineon Technologies AG SIGC39T65E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    UNCASED CHIP

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-XUUC-N3

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极-发射器电压-最大值

    650 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    1.77 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6.4 V

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技术文档: Infineon Technologies AG SIGC39T65E.

SIGC39T65E拓展信息

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