Infineon Technologies AG SIGC39T65E
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SIGC39T65E
1211-SIGC39T65E
晶体管 - IGBT - 单个
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Insulated Gate Bipolar Transistor
1最小包装量--
SIGC39T65E详情
Infineon Technologies AG SIGC39T65E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
,
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
UNCASED CHIP
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-XUUC-N3
配置
SINGLE
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极-发射器电压-最大值
650 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
1.77 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.4 V
SIGC39T65E拓展信息
Infineon Technologies
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