Infineon Technologies AG SIGC42T120CL
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SIGC42T120CL
1211-SIGC42T120CL
晶体管 - IGBT - 单个
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, 6.59 X 6.49 MM2, DIE-3
1最小包装量--
SIGC42T120CL详情
Infineon Technologies AG SIGC42T120CL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Package Code
DIE
Package Description
UNCASED CHIP, R-XUUC-N3
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
UNCASED CHIP
Turn-off Time-Nom (toff)
380 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
120 ns
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-XUUC-N3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
25 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5 V
SIGC42T120CL拓展信息
Infineon Technologies
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