Infineon Technologies AG SMBTA13E6327
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SMBTA13E6327
1211-SMBTA13E6327
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
1最小包装量--
SMBTA13E6327详情
Infineon Technologies AG SMBTA13E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
125 MHz
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.33 W
集电极电流-最大值(IC)
0.3 A
最小直流增益(hFE)
10000
集电极-发射器电压-最大值
30 V
SMBTA13E6327拓展信息
Infineon Technologies
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