IXYS MDI200-12A4

工厂交货时间

32 Weeks

底架

Chassis Mount, Panel, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Y3-DCB

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

650 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Box

已出版

2000

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

1.13kW

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

基本部件号

MDD200

引脚数量

7

JESD-30代码

R-XUFM-X5

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

100 ns

功率 - 最大

1130W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

270A

最大集极截止电流

10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

11nF

接通时间

150 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 150A

关断时间-标准值（toff)

700 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

11nF @ 25V

VCEsat-最大值

3 V

高度

30mm

长度

110mm

宽度

62mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅