IXGN120N60A3D1详情
IXYS IXGN120N60A3D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
26 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
410 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
系列
GenX3™
已出版
2009
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
Nickel (Ni)
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED
最大功率耗散
595W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
基本部件号
IXG*120N60
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PUFM-X4
配置
Single
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
39 ns
功率 - 最大
595W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.35V
最大集电极电流
200A
最大集极截止电流
650μA
输入电容
14.8nF
接通时间
123 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.35V @ 15V, 100A
关断时间-标准值(toff)
830 ns
IGBT类型
PT
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
14.8nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IXGN120N60A3D1拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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