IXGN100N170详情
IXYS IXGN100N170重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
3 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.7kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
已出版
2012
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
Nickel (Ni)
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED
最大功率耗散
735W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
4
配置
Single
功率耗散
735W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.7kV
最大集电极电流
160A
最大集极截止电流
50μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
输入电容
9.22nF
接通时间
285 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3V @ 15V, 100A
关断时间-标准值(toff)
720 ns
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
9.22nF @ 25V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IXGN100N170拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS









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