IXYS IXEN60N120

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

680 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

已出版

2003

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Nickel (Ni)

最大功率耗散

445W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

80 ns

功率 - 最大

445W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.7V

最大集电极电流

100A

最大集极截止电流

800μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

3.8nF

接通时间

130 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 60A

关断时间-标准值（toff)

710 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

3.8nF @ 25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅