IXYS IXGE200N60B

工厂交货时间

16 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

ISOPLUS227™

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~150°C TJ

系列

HiPerFAST™

已出版

2004

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

最大功率耗散

416W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

基本部件号

IXG*200N60

引脚数量

4

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

416W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

160A

最大集极截止电流

200μA

输入电容

11nF

接通时间

120 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 120A

关断时间-标准值（toff)

540 ns

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

11nF @ 25V

VCEsat-最大值

2.1 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant