IXGN50N60BD2详情
IXYS IXGN50N60BD2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~150°C TJ
系列
HiPerFAST™
已出版
2000
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
Nickel (Ni)
最大功率耗散
250W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
基本部件号
IXG*50N60
引脚数量
4
配置
Single
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
250W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
75A
最大集极截止电流
200μA
输入电容
4.1nF
接通时间
50 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 50A
关断时间-标准值(toff)
200 ns
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
4.1nF @ 25V
VCEsat-最大值
2.5 V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IXGN50N60BD2拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS









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