IXYS IXKH47N60C

工厂交货时间

61 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

47A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

111 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 2mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

70MOhm

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

290W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 30A, 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

650nC @ 10V

上升时间

27ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

47A

JEDEC-95代码

TO-247AD

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

600V

场效应管特性

超级交界处

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅