IXYS MII100-12A3

工厂交货时间

24 Weeks

底架

Chassis Mount, Panel, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Y4-M5

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.2V

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

650 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2000

无铅代码

yes

零件状态

活跃

终止次数

7

ECCN 代码

EAR99

附加功能

UL 认证

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

560W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

额定电流

135A

基本部件号

MII

配置

半桥

元素配置

Dual

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

100 ns

晶体管应用

MOTOR CONTROL

上升时间

50ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

135A

最大集极截止电流

5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

反向电压

1.2kV

输入电容

5.5nF

接通时间

150 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

700 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

5.5nF @ 25V

VCEsat-最大值

3 V

高度

30mm

长度

94mm

宽度

34mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅