IXYS MIO1200-33E10

工厂交货时间

25 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

E10

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

3.3kV

Current-Collector (Ic) (Max)

1200A

Number of Elements

3

Turn Off Delay Time

1.07 μs

操作温度

-40°C~125°C TJ

已出版

2011

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

9

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

基本部件号

MIO

引脚数量

9

JESD-30代码

R-XUFM-X9

配置

单开关

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

400 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

3.1V

最大集电极电流

1.2kA

最大集极截止电流

120mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

3300V

输入电容

187nF

接通时间

600 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.1V @ 15V, 1200A

关断时间-标准值（toff)

1510 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

187nF @ 25V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅