IXYS MIO600-65E11

工厂交货时间

25 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

E11

引脚数

11

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

6.5kV

Number of Elements

3

操作温度

-40°C~125°C TJ

包装

Bulk

已出版

2011

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

9

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

基本部件号

MIO

引脚数量

9

JESD-30代码

R-XUFM-X9

配置

单开关

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

4.2V

最大集电极电流

600A

最大集极截止电流

120mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

6500V

输入电容

150nF

最大击穿电压

6.5kV

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

4.2V @ 15V, 600A

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

150nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准