IXYS MKI100-12F8

工厂交货时间

20 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

E3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2kV

Number of Elements

4

操作温度

-40°C~125°C TJ

已出版

2005

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

21

附加功能

LOW SATURATION VOLTAGE, FAST SWITCHING

最大功率耗散

640W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

基本部件号

MKI

引脚数量

21

JESD-30代码

R-XUFM-X21

配置

全桥逆变器

功率耗散

640W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

3.9V

最大集电极电流

125A

最大集极截止电流

1.3mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

6.5nF

接通时间

190 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

395 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

6.5nF @ 25V

RoHS状态

ROHS3 Compliant