IXYS MWI100-12A8

工厂交货时间

20 Weeks

包装/外壳

E3

安装类型

底座安装

底架

底座安装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

6

已出版

2007

操作温度

-40°C~125°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

19

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

640W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

基本部件号

MWI

引脚数量

19

JESD-30代码

R-XUFM-X19

配置

三相逆变器

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

640W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.6V

最大集电极电流

160A

最大集极截止电流

6.3mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

6.5nF

接通时间

160 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.6V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

690 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

6.5nF @ 25V

RoHS状态

ROHS3 Compliant