IXYS MWI50-12E6K

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

E1

引脚数

1

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

6

操作温度

-40°C~125°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

19

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

210W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

MWI

引脚数量

24

资历状况

不合格

配置

三相逆变器

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

210W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.9V

最大集电极电流

51A

最大集极截止电流

300μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

2nF

接通时间

140 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.9V @ 15V, 35A

关断时间-标准值（toff)

490 ns

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

2nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准