IXYS MWI75-12E8

工厂交货时间

24 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

E3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

6

操作温度

-40°C~125°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

11

端子表面处理

Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最大功率耗散

500W

端子位置

UPPER

终端形式

PIN/PEG

基本部件号

MWI

引脚数量

19

JESD-30代码

R-XUFM-P11

配置

三相逆变器

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.5V

最大集电极电流

130A

最大集极截止电流

1.1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

5.7nF

接通时间

210 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

730 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

5.7nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准