IXYS VDI50-12P1

工厂交货时间

16 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

ECO-PAC2

引脚数

10

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~150°C TJ

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

10

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

208W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

35

基本部件号

VDI

引脚数量

10

资历状况

不合格

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

208W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

3.7V

最大集电极电流

49A

最大集极截止电流

1.1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

1.65nF

接通时间

170 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.7V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

570 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

1.65nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准