IXYS VMK165-007T

工厂交货时间

8 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

TO-240AA

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

390 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2000

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

7

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

390W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

7

资历状况

不合格

配置

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

390W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7m Ω @ 82.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

480nC @ 10V

上升时间

280ns

漏源电压 (Vdss)

70V

下降时间（典型值）

110 ns

连续放电电流(ID)

165A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.006Ohm

漏源击穿电压

70V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

660A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅