Microchip APT100GT120JU2

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

ISOTOP

表面安装

NO

引脚数

4

供应商器件包装

SOT-227

质量

30.000004 g

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

140 A

Base Product Number

APT100

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Pd - Power Dissipation

480 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

1.058219 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Continuous Collector Current at 25 C

140 A

Mounting Styles

底座安装

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Tradename

ISOTOP

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

Package Description

ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

335 ns

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Turn-off Time-Nom (toff)

610 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT100GT120JU2

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.57

Part Package Code

ISOTOP

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS

子类别

IGBTs

最大功率耗散

480 W

技术

Si

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-XUFM-X4

资历状况

不合格

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

480

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

480 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

产品类别

IGBT模块

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

140 A

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

最大集极截止电流

5 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

输入电容

7.2 nF

最大耗散功率(Abs)

480 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 100A

集电极电流-最大值(IC)

140 A

连续集电极电流

140

IGBT类型

沟渠现场停车

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20 V

输入电容(Cies)@Vce

7.2 nF @ 25 V

VCEsat-最大值

2.1 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块

宽度

25.4 mm

高度

9.6 mm

长度

38.2 mm

无铅

无铅