Microchip APTGT100A120D1G

底架

Chassis Mount, Screw

表面安装

NO

引脚数

7

终端数量

7

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

400 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

830 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTGT100A120D1G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.63

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

子类别

绝缘栅BIP晶体管

最大功率耗散

520 W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

7

JESD-30代码

R-XUFM-X7

资历状况

不合格

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Dual

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

150 A

输入电容

7 nF

最大耗散功率(Abs)

520 W

集电极电流-最大值(IC)

150 A

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

6.5 V

辐射硬化

无

无铅

无铅