Microchip APTGT35X120T3G

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

表面安装

NO

供应商器件包装

SP3

终端数量

25

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

55 A

Base Product Number

APTGT35

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Pd - Power Dissipation

208 W

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Continuous Collector Current at 25 C

55 A

Mounting Styles

底座安装

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

140 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

610 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTGT35X120T3G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

6

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.68

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

子类别

IGBTs

技术

Si

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

25

JESD-30代码

R-XUFM-X25

资历状况

不合格

配置

三相逆变器

功率耗散

208

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

208 W

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

产品类别

IGBT模块

最大集极截止电流

250 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

最大耗散功率(Abs)

208 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 35A

集电极电流-最大值(IC)

55 A

连续集电极电流

55

IGBT类型

沟渠现场停车

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20 V

输入电容(Cies)@Vce

2.5 nF @ 25 V

VCEsat-最大值

2.1 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块