Microchip Technology APT200GN60JDQ4

包装/外壳

SOT-227-4

安装类型

底座安装

表面安装

NO

供应商器件包装

ISOTOP®

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Continuous Collector Current at 25 C

283 A

Gate-Emitter Leakage Current

600 nA

Pd - Power Dissipation

682 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Tradename

ISOTOP

Unit Weight

1.058219 oz

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

283 A

Base Product Number

APT200

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

ISOTOP-4 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

130 ns

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Turn-off Time-Nom (toff)

660 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT200GN60JDQ4

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.52

Part Package Code

ISOTOP

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

Single

功率耗散

682

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

682 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

工作温度范围

- 55 C to + 175 C

最大集极截止电流

50 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

最大耗散功率(Abs)

682 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.85V @ 15V, 200A

集电极电流-最大值(IC)

283 A

连续集电极电流

283

IGBT类型

沟渠现场停车

集电极-发射器电压-最大值

600 V

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20 V

输入电容(Cies)@Vce

14.1 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块

高度

9.6 mm

长度

38.2 mm

宽度

25.4 mm