Microchip Technology APT35GT120JU2

包装/外壳

ISOTOP-4

安装类型

底座安装

供应商器件包装

SOT-227

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7 V

Continuous Collector Current at 25 C

55 A

Gate-Emitter Leakage Current

500 nA

Pd - Power Dissipation

260 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

55 A

Base Product Number

APT35GT120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

配置

Single

功率耗散

260

功率 - 最大

260 W

输入

Standard

最大集极截止电流

5 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 35A

连续集电极电流

55

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

2.53 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块