Microchip Technology APT40GL120JU3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

ISOTOP-4

安装类型

Chassis, Stud Mount

底架

Chassis, Screw, Stud

引脚数

4

供应商器件包装

SOT-227

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.85 V

Continuous Collector Current at 25 C

65 A

Gate-Emitter Leakage Current

400 nA

Pd - Power Dissipation

220 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

65 A

Base Product Number

APT40GL120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

最大功率耗散

220 W

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

220

功率 - 最大

220 W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.25 V

最大集电极电流

65 A

最大集极截止电流

250 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

输入电容

1.95 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.25V @ 15V, 35A

连续集电极电流

65

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

1.95 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块