Microchip Technology APT85GR120L

包装/外壳

TO-264-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-264

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.5 V

Continuous Collector Current at 25 C

170 A

Gate-Emitter Leakage Current

250 nA

Pd - Power Dissipation

962 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage

30 V

Mounting Styles

通孔

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.352740 oz

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

170 A

Base Product Number

APT85GR120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

600V, 85A, 4.3Ohm, 15V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

113 ns

Operating Temperature-Min

-55 °C

Turn-off Time-Nom (toff)

445 ns

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT85GR120L

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.15

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

Single

功率耗散

962

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

962 W

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-264AA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

最大耗散功率(Abs)

962 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.2V @ 15V, 85A

集电极电流-最大值(IC)

170 A

连续集电极电流

170

IGBT类型

NPT

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

闸门收费

660 nC

集极脉冲电流（Icm）

340 A

Td（开/关）@25°C

43ns/300ns

开关能量

6mJ (on), 3.8mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5 V

产品

IGBT硅模块