Microchip Technology APTGL120TDU120TPG

包装/外壳

SP6

安装类型

底座安装

表面安装

NO

供应商器件包装

SP6-P

终端数量

23

晶体管元件材料

SILICON

Unit Weight

3.880136 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

底座安装

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Pd - Power Dissipation

517 W

Gate-Emitter Leakage Current

600 nA

Continuous Collector Current at 25 C

140 A

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

RoHS

Details

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

140 A

Base Product Number

APTGL120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

185 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

430 ns

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTGL120TDU120TPG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

6

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.71

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

compliant

引脚数量

23

JESD-30代码

R-XUFM-X23

资历状况

不合格

配置

三双共源

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

517 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

250 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

最大耗散功率(Abs)

517 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.15V @ 15V, 100A

集电极电流-最大值(IC)

140 A

连续集电极电流

140

IGBT类型

沟渠现场停车

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20 V

输入电容(Cies)@Vce

6.2 nF @ 25 V

VCEsat-最大值

2.15 V

产品

IGBT硅模块