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内地含税价

1

￥639.353912
10

￥603.164068
100

￥569.022709
500

￥536.813876
1000

￥506.428185

Microchip Technology APTGL90DSK120T3G

Name: APTGL90DSK120T3G
Brand: Microchip Technology
SKU: 1610-APTGL90DSK120T3G
Price: 639.35 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

APTGL90DSK120T3G

品牌

Microchip Technology

utmel 编号

1610-APTGL90DSK120T3G

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

SP3-32

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Modules DOR CC3174View in Development Tools Selector

起订量

--最小包装量--

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APTGL90DSK120T3G Microchip Technology IGBT Modules DOR CC3174View in Development Tools Selector

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APTGL90DSK120T3G详情

技术参数

Microchip Technology APTGL90DSK120T3G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

SP3-32
安装类型

底座安装
供应商器件包装

SP3
RoHS

Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage

1.85 V
Continuous Collector Current at 25 C

110 A
Gate-Emitter Leakage Current

600 nA
Pd - Power Dissipation

385 W
Minimum Operating Temperature

- 40 C
Maximum Operating Temperature

+ 100 C
Maximum Gate Emitter Voltage

20 V
Mounting Styles

底座安装
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1
Package

Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)

110 A
Base Product Number

APTGL90
厂商

微芯片技术
Product Status

活跃
包装

Tube
操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)
系列

-
配置

Dual
功率 - 最大

385 W
输入

Standard
最大集极截止电流

250 µA
电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.25V @ 15V, 75A
连续集电极电流

110
IGBT类型

沟渠现场停车
NTC热敏电阻

有
输入电容(Cies)@Vce

4.4 nF @ 25 V
产品

IGBT硅模块

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