Microchip Technology APTGT200DA120G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

SP6

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

5

供应商器件包装

SP6

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7 V

Continuous Collector Current at 25 C

280 A

Gate-Emitter Leakage Current

500 nA

Pd - Power Dissipation

890 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

3.880136 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

280 A

Base Product Number

APTGT200

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

最大功率耗散

890 W

配置

Single

元素配置

Single

功率 - 最大

890 W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

280 A

最大集极截止电流

350 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

输入电容

14 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 200A

连续集电极电流

280

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

14 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块