Microchip Technology APTGT50TL601G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

SP1-12

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

表面安装

NO

引脚数

12

供应商器件包装

SP1

终端数量

10

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Continuous Collector Current at 25 C

80 A

Gate-Emitter Leakage Current

600 nA

Pd - Power Dissipation

176 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

2.821917 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

80 A

Base Product Number

APTGT50

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10

Package Style

FLANGE MOUNT

Risk Rank

2.3

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

4

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

APTGT50TL601G

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

175 °C

Turn-off Time-Nom (toff)

310 ns

Turn-on Time-Nom (ton)

170 ns

Package Body Material

UNSPECIFIED

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-40 °C

最大功率耗散

176 W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

compliant

引脚数量

12

JESD-30代码

R-XUFM-X10

资历状况

不合格

配置

3-Phase Inverter

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

176 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

80 A

最大集极截止电流

250 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

输入电容

3.15 nF

最大耗散功率(Abs)

176 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 50A

集电极电流-最大值(IC)

80 A

连续集电极电流

80

IGBT类型

沟渠现场停车

集电极-发射器电压-最大值

600 V

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20 V

输入电容(Cies)@Vce

3.15 nF @ 25 V

VCEsat-最大值

1.9 V

产品

IGBT硅模块

辐射硬化

无