Microchip Technology APTGT75DA120TG

包装/外壳

SP4

安装类型

底座安装

表面安装

NO

供应商器件包装

SP4

终端数量

12

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7 V

Continuous Collector Current at 25 C

110 A

Gate-Emitter Leakage Current

400 nA

Pd - Power Dissipation

357 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

3.880136 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

110 A

Base Product Number

APTGT75

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

335 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

610 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTGT75DA120TG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.19

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

12

JESD-30代码

R-XUFM-X12

资历状况

不合格

配置

Single

功率耗散

357

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

357 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

250 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 75A

集电极电流-最大值(IC)

110 A

连续集电极电流

110

IGBT类型

沟渠现场停车

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

5.34 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块