Microchip Technology APTGTQ200DA65T3G

包装/外壳

SP3F

安装类型

底座安装

供应商器件包装

SP3F

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65 V

Continuous Collector Current at 25 C

200 A

Gate-Emitter Leakage Current

480 nA

Pd - Power Dissipation

483 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

3.880136 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

200 A

Base Product Number

APTGTQ200

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

配置

Single

功率 - 最大

483 W

输入

Standard

最大集极截止电流

200 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 200A

IGBT类型

-

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

12 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块