Microchip Technology APTGTQ50TA65T3G

包装/外壳

SP3F

安装类型

底座安装

供应商器件包装

SP3F

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65 V

Continuous Collector Current at 25 C

50 A

Gate-Emitter Leakage Current

120 nA

Pd - Power Dissipation

125 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

3.880136 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50 A

Base Product Number

APTGTQ50

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

配置

Hex

功率 - 最大

125 W

输入

Standard

最大集极截止电流

50 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 50A

IGBT类型

-

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

3 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块