PF38F5070M0Y0V0
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Micron Technology Inc PF38F5070M0Y0V0

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型号

PF38F5070M0Y0V0

utmel 编号

1616-PF38F5070M0Y0V0

商品类别

专用

封装

--

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

Memory Circuit, Flash PSRAM, PBGA165,

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PF38F5070M0Y0V0
PF38F5070M0Y0V0 Micron Technology Inc Memory Circuit, Flash PSRAM, PBGA165,

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PF38F5070M0Y0V0详情

Micron Technology Inc PF38F5070M0Y0V0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    165

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICRON TECHNOLOGY INC

  • Package Description

    FBGA, BGA165,12X15,25

  • Access Time-Max

    96 ns

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    FBGA

  • Package Equivalence Code

    BGA165,12X15,25

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8542.32.00.71

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 端子间距

    0.635 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B165

  • 资历状况

    不合格

  • 待机电流-最大值

    0.00016 A

  • 内存IC类型

    存储器电路

  • 混合内存类型

    FLASH+PSRAM

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技术文档: Micron Technology Inc PF38F5070M0Y0V0.

PF38F5070M0Y0V0拓展信息

RD38F2030W0ZTQ0
RD38F2030W0ZTQ0

Micron Technology Inc

NAND98R3M0AZBB5E
NAND98R3M0AZBB5E

Micron Technology Inc

MT42L2DALG-DC
MT42L2DALG-DC

Micron Technology Inc

MT28C3212P2FL-11TET
MT28C3212P2FL-11TET

Micron Technology Inc

PF38F1030W0YBQF
PF38F1030W0YBQF

Micron Technology Inc

NAND98W3M1AZBC5E
NAND98W3M1AZBC5E

Micron Technology Inc

M36W0R6050B1ZAQF
M36W0R6050B1ZAQF

Micron Technology Inc

NAND98R3M2AZBB5E
NAND98R3M2AZBB5E

Micron Technology Inc

RD38F3352LLZDQ0
RD38F3352LLZDQ0

Micron Technology Inc

RD38F3040L0YTQ0
RD38F3040L0YTQ0

Micron Technology Inc

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