APTGT100DA60T3AG
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Microsemi APTGT100DA60T3AG

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型号

APTGT100DA60T3AG

品牌

Microsemi

utmel 编号

1619-APTGT100DA60T3AG

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Module N-CH 600V 150A 416000mW 18-Pin Case SP-3

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APTGT100DA60T3AG
APTGT100DA60T3AG Microsemi Trans IGBT Module N-CH 600V 150A 416000mW 18-Pin Case SP-3

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APTGT100DA60T3AG详情

Microsemi APTGT100DA60T3AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • ECCN (US)

    EAR99

  • Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

    600

  • Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)

    1.5

  • Maximum Gate Emitter Voltage (V)

    ±20

  • Maximum Power Dissipation (mW)

    416000

  • Maximum Continuous Collector Current (A)

    150

  • Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)

    0.4

  • Minimum Operating Temperature (°C)

    -40

  • Maximum Operating Temperature (°C)

    175

  • Supplier Package

    Case SP-3

  • Military

  • Mounting

    Screw

  • Package Height

    11.5

  • Package Length

    73.4

  • Package Width

    40.8

  • PCB changed

    18

  • 零件状态

    Obsolete

  • 引脚数量

    18

  • 配置

    Single

  • 信道型

    N

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Microsemi APTGT100DA60T3AG.

APTGT100DA60T3AG拓展信息

APTGT200TL60G
APTGT200TL60G

Microsemi Corporation

APTGF50X60T3G
APTGF50X60T3G

Microsemi Corporation

APTGT50DDA120T3G
APTGT50DDA120T3G

Microsemi Corporation

APTGL60DDA120T3G
APTGL60DDA120T3G

Microsemi Corporation

APTGL475A120D3G
APTGL475A120D3G

Microsemi Corporation

APTGT35H120T3G
APTGT35H120T3G

Microsemi Corporation

APTGT100TL60T3G
APTGT100TL60T3G

Microsemi Corporation

APTGT35X120T3G
APTGT35X120T3G

Microsemi Corporation

APTGT75H60T1G
APTGT75H60T1G

Microsemi Corporation

APTGT100A170TG
APTGT100A170TG

Microsemi Corporation

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