Microsemi Corporation 2N7334

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

14-DIP (0.300, 7.62mm)

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

4

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1997

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

14

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.29.00.75

最大功率耗散

1.4W

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

14

参考标准

MIL-19500/597

JESD-30代码

R-CDIP-T14

资历状况

Qualified

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

1.4W

场效应管类型

4 N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

700m Ω @ 600mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

连续放电电流(ID)

1A

JEDEC-95代码

MO-036AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏极-源极导通最大电阻

0.8Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

75 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

Non-RoHS Compliant