Microsemi Corporation APT1001RBVFRG

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

TO-247 [B]

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

55 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

包装

Tube

系列

POWER MOS V®

已出版

1997

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

1kV

额定电流

11A

功率耗散

278W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1Ohm @ 5.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3050pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150nC @ 10V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

连续放电电流(ID)

11A

栅极至源极电压(Vgs)

40V

输入电容

3.05nF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅