Microsemi Corporation APT1204R7KFLLG

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

135W Tc

Turn Off Delay Time

20 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

电压 - 额定直流

1.2kV

端子位置

SINGLE

额定电流

3.5A

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

135W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.7 Ω @ 1.75A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

715pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

2ns

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

24 ns

连续放电电流(ID)

3.5A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

雪崩能量等级（Eas）

425 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅