Microsemi Corporation APT12067B2LLG

包装/外壳

TO-247-3 Variant

安装类型

通孔

底架

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Tc

Power Dissipation (Max)

565W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

系列

POWER MOS 7®

包装

Bulk

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

670m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4420pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

18A

漏极-源极导通最大电阻

0.67Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72A

DS 击穿电压-最小值

1200V

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准