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Microsemi Corporation APT35GP120B2DF2

Name: APT35GP120B2DF2
Brand: Microsemi Corporation
SKU: 1604-APT35GP120B2DF2
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

APT35GP120B2DF2

品牌

Microsemi Corporation

utmel 编号

1604-APT35GP120B2DF2

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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APT35GP120B2DF2详情

技术参数

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Microsemi Corporation APT35GP120B2DF2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP
Package Description

,
Operating Temperature-Max

150 °C
ECCN 代码

EAR99
Reach合规守则

compliant
引脚数量

3
极性/通道类型

N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)

543 W
集电极电流-最大值(IC)

96 A
集电极-发射器电压-最大值

1200 V
栅极-发射极电压-最大值

20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值

6 V

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