Microsemi Corporation APT35GT120JU2

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

ISOTOP

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS

最大功率耗散

260W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

4

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

260W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.1V

最大集电极电流

55A

最大集极截止电流

5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

2.53nF

接通时间

135 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 35A

关断时间-标准值（toff)

610 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

2.53nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准