Microsemi Corporation APT4F120K
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APT4F120K
1619-APT4F120K
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
--最小包装量--
APT4F120K详情
Microsemi Corporation APT4F120K重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
225W Tc
Turn Off Delay Time
24 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1997
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
1.2kV
额定电流
4A
功率耗散
225W
接通延迟时间
7.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.6Ohm @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 500μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1385pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
43nC @ 10V
上升时间
4.4ns
漏源电压 (Vdss)
1200V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
6.9 ns
连续放电电流(ID)
4A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
输入电容
1.385nF
最大rds
4.6 Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APT4F120K拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
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