Microsemi Corporation APT50GT120JRDQ2

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

ISOTOP

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

系列

Thunderbolt IGBT®

已出版

2005

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

379W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

额定电流

110A

引脚数量

4

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

379W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

3.7V

最大集电极电流

72A

最大集极截止电流

400μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

2.5nF

接通时间

73 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.7V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

305 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

30V

输入电容(Cies)@Vce

2.5nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅