Microsemi Corporation APT60N60SCSG

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

工厂交货时间

25 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

431W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1997

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Pure Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩能源评级

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

431W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

45m Ω @ 44A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 3mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

190nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

60A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.045Ohm

DS 击穿电压-最小值

600V

场效应管特性

超级交界处

RoHS状态

符合RoHS标准