Microsemi Corporation APT65GP60L2DQ2G

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 65A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

已出版

1999

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

低导通损耗

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

833W

额定电流

198A

引脚数量

3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

198A

接通时间

85 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 65A

关断时间-标准值（toff)

220 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

210nC

集极脉冲电流（Icm）

250A

Td（开/关）@25°C

30ns/90ns

开关能量

605μJ (on), 895μJ (off)

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅