Microsemi Corporation APT7F120B

工厂交货时间

22 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

335W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1997

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

2.4Ohm

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

1.2kV

端子位置

SINGLE

额定电流

6.6A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

335W

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.9 Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2565pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

7A

JEDEC-95代码

TO-247AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28A

雪崩能量等级（Eas）

575 mJ

高度

5.31mm

长度

21.46mm

宽度

16.26mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅