Microsemi Corporation APT7M120S

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

335W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

POWER MOS 8™

已出版

1997

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.1 Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2565pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

8A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏极-源极导通最大电阻

2.5Ohm

DS 击穿电压-最小值

1200V

雪崩能量等级（Eas）

575 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准