Microsemi Corporation APTGF50DA120T1G

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

引脚数

1

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

已出版

2012

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最大功率耗散

312W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

12

资历状况

不合格

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

312W

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

3.7V

最大集电极电流

75A

最大集极截止电流

250μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

3.45nF

接通时间

100 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.7V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

400 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

3.45nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准