Microsemi Corporation APTGF50VDA120T3G
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APTGF50VDA120T3G
1619-APTGF50VDA120T3G
晶体管 - IGBT - 模块
SP3
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POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3
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APTGF50VDA120T3G详情
Microsemi Corporation APTGF50VDA120T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw, Through Hole
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.2V
Number of Elements
2
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
20
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
312W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
25
JESD-30代码
R-XUFM-X20
资历状况
不合格
配置
双升压斩波器
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
70A
最大集极截止电流
250μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
输入电容
3.45nF
接通时间
100 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.7V @ 15V, 50A
关断时间-标准值(toff)
400 ns
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
有
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
3.45nF @ 25V
高度
11.5mm
长度
73.4mm
宽度
40.8mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APTGF50VDA120T3G拓展信息
Microsemi Corporation
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